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STD16N65M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道 650V 11A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD16N65M2 数据手册 (17 页)

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STD16N65M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

110 W

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

8.2 ns

输入电容值(Ciss)

718pF @100V(Vds)

下降时间

11.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

STD16N65M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STD16N65M2 符合标准

STD16N65M2 海关信息

STD16N65M2 数据手册

STD16N65M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

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STD16N65 数据手册

STD16N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STD16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V

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N沟道 650V 11A

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