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STD25NF10LT4
0.799
STD25NF10LT4 数据手册 (13 页)
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STD25NF10LT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
25.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
0.03 Ω
极性
N-Channel
功耗
100 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
25.0 A
上升时间
40 ns
输入电容值(Ciss)
1710pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
100 W
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
100W (Tc)

STD25NF10LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD25NF10LT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.41 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.4 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD25NF10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.033ohm - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.033ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD25NF10LA  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.030欧姆 - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
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