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STD25NF20
0.581
STD25NF20 数据手册 (16 页)
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STD25NF20 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.1 Ω
功耗
110 W
阈值电压
3 V
输入电容
940 pF
漏源极电压(Vds)
200 V
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
940pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

STD25NF20 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD25NF20 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 1.07 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.8 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

STD25 数据手册

Eaton Bussmann(伊顿巴斯曼)
特种保险丝 25A 240VAC IND
Cooper Bussmann(库柏)
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STD25N10F7 编带
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD25NF10LA  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ON Semiconductor(安森美)
Visual Communications Company
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.030欧姆 - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
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