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STD26P3LLH6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD26P3LLH6 数据手册 (17 页)

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STD26P3LLH6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.024 Ω

极性

P-Channel

功耗

40 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

1450pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

40 W

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

STD26P3LLH6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

175℃ (TJ)

STD26P3LLH6 符合标准

STD26P3LLH6 概述

STD26P3LLH6 数据手册

STD26P3LLH6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.93 MByte

STD26P3LLH6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.95 MByte

STD26P3LLH6 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STD26P3 数据手册

STD26P3LLH6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -2.5 V

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