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STD30PF03LT4
0.636
STD30PF03LT4 数据手册 (13 页)
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STD30PF03LT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-24.0 A
封装
TO-252-3
额定功率
70 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.028 Ω
极性
P-Channel
功耗
70 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
24.0 A
上升时间
122 ns
输入电容值(Ciss)
1670pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
70 W
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70W (Tc)

STD30PF03LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
175℃ (TJ)

STD30PF03LT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.32 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.24 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD30PF03 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD30PF03LT4  晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
P沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
P沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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