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STD35NF06T4
0.635
STD35NF06T4 数据手册 (13 页)
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STD35NF06T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
35.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
0.024 Ω
极性
N-Channel
功耗
55 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
35.0 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
80 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
80W (Tc)

STD35NF06T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD35NF06T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.3 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD35NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.018ヘ - 35A - DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.018ヘ - 35A - DPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD35NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.014ohm - 35A DPAK STripFET⑩II MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 35A DPAK STripFET⑩II MOSFET
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