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UM6J1NTN 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

双 P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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UM6J1NTN 数据手册 (4 页)

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UM6J1NTN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

900 mΩ

极性

Dual P-Channel

功耗

150 mW

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

0.2A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

30pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

150 mW

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

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UM6J1NTN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.1 mm

宽度

1.35 mm

高度

0.9 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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UM6J1NTN 符合标准

UM6J1NTN 概述

UM6J1NTN 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.11 MByte

UM6J1NTN 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 1.83 MByte

UM6J1NTN 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

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