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STD40NF10
0.622
STD40NF10 数据手册 (13 页)
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STD40NF10 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.025 Ω
极性
N-Channel
功耗
125 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
50A
上升时间
46 ns
输入电容值(Ciss)
2180pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
125 W
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
125W (Tc)

STD40NF10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD40NF10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.52 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.8 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.46 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

STD40 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道25 V , 0.01 Ω , 40 A , DPAK , IPAK的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 25 V, 0.01 Ω, 40 A, DPAK, IPAK STripFET? V Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0095欧姆 - 40A DPAK低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
Visual Communications Company
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
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