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STD5NM50T4
1.254
STD5NM50T4 数据手册 (10 页)
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STD5NM50T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
7.50 A
封装
TO-252-3
额定功率
100 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.8 Ω
极性
N-Channel
功耗
100 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
7.50 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
415pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
100 W
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
100W (Tc)

STD5NM50T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STD5NM50T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.41 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.57 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD5NM50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.7W - 7.5A DPAK / IPAK的MDmesh ™功率MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.7W - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh™Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD5NM50T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 500 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK / IPAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh⑩Power MOSFET
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