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STD5NM60-1
2.916
STD5NM60-1 数据手册 (2 页)

STD5NM60-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-251-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.9 Ω
极性
N-Channel
功耗
96 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
96 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
96W (Tc)

STD5NM60-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
宽度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STD5NM60-1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
2 页 / 0.07 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.72 MByte

STD5 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD5N20LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD5NM50T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 500 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD5NK40ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 400 V, 1.47 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD5N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD5NM60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD5N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD5NM60-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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