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器件3D模型
¥ 0.08
STD65N3LLH5 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1.8 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STD65N3LLH5 数据手册 (17 页)
封装尺寸
在
9 页
10 页
11 页
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STD65N3LLH5 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0061 Ω
功耗
50 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
11.2 ns
输入电容值(Ciss)
1290pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
50 W
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50W (Tc)
查看数据手册 >
STD65N3LLH5 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STD65N3LLH5 数据手册
STD65N3LLH5
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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STD65N3
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晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1.8 V
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