HUF75344P3 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75344G3.  场效应管, MOSFET, N沟道

UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75344P3, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装

N沟道UltraFET功率MOSFET 55V ， 75A ，8Mヘ N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 75A, 8mヘ

75A ， 55V ， 0.008 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

75A ， 55V ， 0.008 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

N沟道 55V 75A

75A ， 55V ， 0.008 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs