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STD888T4
0.265
STD888T4 数据手册 (10 页)
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STD888T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
15 W
上升时间
160 ns
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
100 @500mA, 1V
额定功率(Max)
15 W
直流电流增益(hFE)
200
下降时间
80 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
15000 mW

STD888T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STD888T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.42 MByte

STD888 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
大电流,高性能,低电压PNP晶体管 HIGH CURRENT, HIGH PERFORMANCE, LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR
UTC(友顺)
高直流电流增益
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD888T4  单晶体管 双极, PNP, 30 V, 15 W, -10 A, 200 hFE
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