￥ 26.16

STE250NS10 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

ISOTOP-4

描述:

STMICROELECTRONICS STE250NS10 晶体管, MOSFET, N沟道, 125 A, 100 V, 0.0045 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STE250NS10 数据手册 (32 页)

引脚图在3 页 4 页 5 页 6 页Hot

封装尺寸在29 页

原理图在1 页

STE250NS10 数据手册 (32 页)

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STE250NS10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

220 A

封装

ISOTOP-4

额定功率

500 W

针脚数

4 Position

漏源极电阻

4.5 mΩ

极性

N-Channel

功耗

500 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

220 A

上升时间

380 ns

输入电容值(Ciss)

31000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

500 W

下降时间

300 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500W (Tc)

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STE250NS10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.5 mm

高度

9.1 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STE250NS10 符合标准

STE250NS10 海关信息

STE250NS10 概述