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STE45NK80ZD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

ISOTOP-4

描述:

N沟道800V - 0.11ohm - 45一ISOTOP超级FREDMesh MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.11ohm - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STE45NK80ZD 数据手册 (13 页)

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STE45NK80ZD 数据手册 (13 页)

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STE45NK80ZD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

额定电压(DC)

800 V

额定电流

45.0 A

封装

ISOTOP-4

漏源极电阻

130 mΩ

极性

N-Channel

功耗

600W (Tc)

输入电容

26.0 nF

栅电荷

781 nC

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

45.0 A

上升时间

128 ns

输入电容值(Ciss)

26000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

600 W

耗散功率(Max)

600W (Tc)

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STE45NK80ZD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STE45NK80ZD 符合标准

STE45NK80ZD 概述

STE45NK80ZD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STE45NK80 数据手册

STE45NK80ZD 数据手册

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N沟道800V - 0.11ohm - 45一ISOTOP超级FREDMesh MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.11ohm - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFET

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