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STE53NC50
31.966
STE53NC50 数据手册 (8 页)
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STE53NC50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
53.0 A
封装
ISOTOP-4
额定功率
460 W
通道数
1 Channel
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.08 Ω
极性
N-Channel
功耗
460 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
53.0 A
上升时间
70 ns
隔离电压
2.50 kV
输入电容值(Ciss)
11200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
460 W
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
460W (Tc)

STE53NC50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
38.2 mm
宽度
25.5 mm
高度
9.1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STE53NC50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.27 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STE53 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STE53NC50  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
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