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IXFH30N50P
1.507
IXFH30N50P 数据手册 (6 页)
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IXFH30N50P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
460 W
阈值电压
5 V
输入电容
4.15 nF
栅电荷
70.0 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
24 ns
反向恢复时间
200 ns
输入电容值(Ciss)
4150pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
460 W
下降时间
24 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
460W (Tc)

IXFH30N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
宽度
5.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH30N50P 数据手册

IXYS Semiconductor
6 页 / 0.3 MByte
IXYS Semiconductor
8 页 / 0.18 MByte

IXFH30N50 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH30N50  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 30 A, 500 V, 160 mohm, 10 V, 4 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH30N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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