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STF10LN80K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STF10LN80K5 系列 800 V 8 A 0.63 Ohm N-沟道 MDmesh™ K5 功率 Mosfet-TO-220FP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF10LN80K5 数据手册 (6 页)

原理图在3 页

STF10LN80K5 数据手册 (6 页)

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STF10LN80K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.55 Ω

极性

N-Channel

功耗

25 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

427pF @100V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

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STF10LN80K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STF10LN80K5 符合标准

STF10LN80K5 海关信息

STF10LN80K5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

6 页 / 0.27 MByte

STF10LN80K5 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.51 MByte

STF10LN80K5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.55 MByte

STF10LN80K5 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.75 MByte

STF10LN80K5 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 0.85 MByte

STF10LN80K5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.69 MByte

STF10LN80 数据手册

STF10LN80K5 数据手册

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STF10LN80K5 系列 800 V 8 A 0.63 Ohm N-沟道 MDmesh™ K5 功率 Mosfet-TO-220FP

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