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STF10N60DM2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道 600V 8A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STF10N60DM2 数据手册 (60 页)

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STF10N60DM2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

25 W

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

529pF @100V(Vds)

下降时间

11.5 ns

下降时间(Max)

11.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

STF10N60DM2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STF10N60DM2 符合标准

STF10N60DM2 海关信息

STF10N60DM2 数据手册

STF10N60DM2 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STF10N60DM2 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.75 MByte

STF10N60DM2 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 0.85 MByte

STF10N60DM2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.68 MByte

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N沟道 600V 8A

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