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FDS9953A
器件3D模型
0.43
FDS9953A 数据手册 (6 页)
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FDS9953A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-2.90 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.095 Ω
极性
P-Channel
功耗
2 W
输入电容
185 pF
栅电荷
2.50 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.90 mA
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
185pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

FDS9953A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS9953A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.18 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.27 MByte

FDS9953 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9953A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.9 A, -30 V, 0.095 ohm, -10 V, -1.8 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS9953A, 2.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Freescale(飞思卡尔)
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