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STF11N65M5
1.35
STF11N65M5 数据手册 (25 页)
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STF11N65M5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.43 Ω
极性
N-CH
功耗
25 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
9A
输入电容值(Ciss)
644pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
25 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
25W (Tc)

STF11N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
16.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STF11N65M5 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
25 页 / 1.27 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
25 页 / 1.24 MByte

STF11N65 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STF11N65M2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
650V,0.765Ω,11A,N沟道功率MOSFET
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