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STF11NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STF11NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF11NM50N 数据手册 (16 页)

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STF11NM50N 数据手册 (16 页)

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STF11NM50N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.4 Ω

极性

N-Channel

功耗

25 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

8.5A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

547pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

25 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

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STF11NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STF11NM50N 符合标准

STF11NM50N 概述

STF11NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.64 MByte

STF11NM50N 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.09 MByte

STF11NM50N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.45 MByte

STF11NM50N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

34 页 / 0.79 MByte

STF11NM50 数据手册

STF11NM50N 数据手册

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