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STF12N65M5
1.165
STF12N65M5 数据手册 (23 页)
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STF12N65M5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-5
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.39 Ω
极性
N-Channel
功耗
25 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
650 V
上升时间
17.6 ns
输入电容值(Ciss)
900pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
25 W
下降时间
23.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
25W (Tc)

STF12N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
16.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STF12N65M5 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
23 页 / 1.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
24 页 / 1.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
34 页 / 0.79 MByte

STF12N65 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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