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STF12NM50ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道500V ， 0.29欧姆， 11A ， FDmesh II功率MOSFET （具有快速二极管）的D2PAK ， DPAK ， TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF12NM50ND 数据手册 (16 页)

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STF12NM50ND 数据手册 (16 页)

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STF12NM50ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

25000 mW

漏源极电压(Vds)

500 V

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

850pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

25 W

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

25W (Tc)

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STF12NM50ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STF12NM50ND 符合标准

STF12NM50ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STF12NM50ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STF12NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道500V - 0.29ヘ - 11A - TO- 220 / FP- D2PAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.29ヘ - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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