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STF13NM60N
0.386
STF13NM60N 数据手册 (30 页)
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STF13NM60N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
360 mΩ
极性
N-Channel
功耗
25 W
输入电容
790 pF
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
5.50 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
790pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
25 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
25W (Tc)

STF13NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
16.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STF13NM60N 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 1.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 0.94 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
24 页 / 1.12 MByte

STF13NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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