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STF33N60M2
0.901
STF33N60M2 数据手册 (20 页)
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STF33N60M2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.125 Ω
极性
N-CH
功耗
35 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
26A
上升时间
9.6 ns
输入电容值(Ciss)
1781pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
35 W
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
35W (Tc)

STF33N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
16.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STF33N60M2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 1.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 0.66 MByte

STF33N60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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