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STFW1N105K3
1.1
STFW1N105K3 数据手册 (18 页)
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STFW1N105K3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
极性
N-CH
功耗
20 W
漏源极电压(Vds)
1050 V
连续漏极电流(Ids)
1.4A
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
180pF @100V(Vds)
下降时间
50 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
20W (Tc)

STFW1N105K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.7 mm
宽度
5.7 mm
高度
26.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STFW1N105K3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.65 MByte

STFW1N105 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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