￥ 1.533

STP46NF30 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 300 V, 0.063 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP46NF30 数据手册 (21 页)

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STP46NF30 数据手册 (21 页)

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STP46NF30 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

63 mΩ

功耗

300 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

300 V

漏源击穿电压

300 V

上升时间

38 ns

正向电压(Max)

1.6 V

输入电容值(Ciss)

3200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

46 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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STP46NF30 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

175℃ (TJ)

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STP46NF30 符合标准

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ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.77 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STP46NF30 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 0.97 MByte

STP46NF30 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 300 V, 0.063 ohm, 10 V, 3 V

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