Web Analytics
Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STGD5NB120SZT4 Datasheet 文档
STGD5NB120SZT4
1.254
STGD5NB120SZT4 数据手册 (15 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STGD5NB120SZT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
1.20 kV
额定电流
5.00 A
封装
TO-252-3
额定功率
75 W
针脚数
3 Position
功耗
75 W
输入电容
430 pF
上升时间
170 ns
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
热阻
100 ℃/W
额定功率(Max)
75 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
75 W

STGD5NB120SZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STGD5NB120SZT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
51 页 / 2.12 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.37 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
35 页 / 2.4 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STGD5NB120 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STGD5NB120SZT4  单晶体管, IGBT, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STGD5NB120SZ 系列 1200 V 10 A 低压差 内部钳位 IGBT - TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道5A - 1200V DPAK / IPAK内部钳位的PowerMESH ? IGBT N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z