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STGD5NB120SZT4
1.254
STGD5NB120SZT4 数据手册 (15 页)
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STGD5NB120SZT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
1.20 kV
额定电流
5.00 A
封装
TO-252-3
额定功率
75 W
针脚数
3 Position
功耗
75 W
输入电容
430 pF
上升时间
170 ns
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
热阻
100 ℃/W
额定功率(Max)
75 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
75 W

STGD5NB120SZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STGD5NB120SZT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
51 页 / 2.12 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.37 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
35 页 / 2.4 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STGD5NB120 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STGD5NB120SZT4  单晶体管, IGBT, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STGD5NB120SZ 系列 1200 V 10 A 低压差 内部钳位 IGBT - TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道5A - 1200V DPAK / IPAK内部钳位的PowerMESH ? IGBT N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
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