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SBC847CLT1G
0.021
SBC847CLT1G 数据手册 (13 页)
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SBC847CLT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
0.3 W
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
420
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

SBC847CLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SBC847CLT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.54 MByte

SBC847CLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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