￥ 1.415

STGP10NB60SD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道10A - 600V - TO- 220低压降的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STGP10NB60SD 数据手册 (15 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页

STGP10NB60SD 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STGP10NB60SD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

20.0 A

封装

TO-220-3

极性

N-Channel

功耗

80000 mW

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

上升时间

460 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

37 ns

额定功率(Max)

80 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

查看数据手册 >

STGP10NB60SD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STGP10NB60SD 符合标准

STGP10NB60SD 海关信息

STGP10NB60SD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.41 MByte

STGP10NB60SD 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

STGP10NB60 数据手册

STGP10NB60S 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STGP10NB60S 单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

STGP10NB60SD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道10A - 600V - TO- 220低压降的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT

STGP10NB60SFP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道10A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

STGP10NB60SDFP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道10A - 600V - TO- 220FP PowerMesh⑩ IGBT N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh⑩ IGBT

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号