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STW120NF10 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

STMICROELECTRONICS STW120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STW120NF10 数据手册 (21 页)

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STW120NF10 数据手册 (21 页)

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STW120NF10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

120 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.009 Ω

极性

N-Channel

功耗

312 W

阈值电压

4 V

输入电容

5.20 nF

栅电荷

233 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

110 A

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

5200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

312 W

下降时间

68 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

312W (Tc)

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STW120NF10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STW120NF10 符合标准

STW120NF10 概述