STGW30H60DFB

￥ 2.524

STGW30H60DFB 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGW30H60DFB 数据手册 (18 页)

封装尺寸在13 页 14 页 15 页 16 页

STGW30H60DFB 数据手册 (18 页)

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STGW30H60DFB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

功耗

260 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

53 ns

额定功率(Max)

260 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

260 W

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STGW30H60DFB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGW30H60DFB 符合标准

STGW30H60DFB 海关信息

STGW30H60DFB 概述

STGW30H60DFB 数据手册

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STGW30H60DFB 产品修订记录

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IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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ST Microelectronics（意法半导体）

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

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