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STGW40M120DF3
5.014
STGW40M120DF3 数据手册 (18 页)
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STGW40M120DF3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
468 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
355 ns
额定功率(Max)
468 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
468000 mW

STGW40M120DF3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STGW40M120DF3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 1 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

STGW40M120 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STGW40M120DF3  单晶体管, IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
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