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STL30N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerFLAT-5x6-8

描述:

STL30N10F7 系列 100 V 0.035 Ohm N 沟道功率 Mosfet - PowerFLAT™ 5x6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STL30N10F7 数据手册 (15 页)

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STL30N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerFLAT-5x6-8

极性

N-CH

功耗

75 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

30A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

920pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

75 W

下降时间

4.6 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

75W (Tc)

STL30N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STL30N10F7 符合标准

STL30N10F7 海关信息

STL30N10F7 概述

STL30N10F7 数据手册

STL30N10F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

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