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STL57N65M5
9.356
STL57N65M5 数据手册 (16 页)
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STL57N65M5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
封装
PowerVDFN-8
极性
N-CH
功耗
2.8 W
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
4.3A
输入电容值(Ciss)
4200pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
2.8W (Ta), 189W (Tc)

STL57N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
8 mm
宽度
8 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STL57N65M5 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 1.05 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.91 MByte

STL57N65 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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