器件3D模型

￥ 0.93

STS10DN3LH5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

STS10DN 系列双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STS10DN3LH5 数据手册 (13 页)

封装尺寸在10 页 11 页

STS10DN3LH5 数据手册 (13 页)

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STS10DN3LH5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.019 Ω

极性

N-CH

功耗

2.5 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

475pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

2.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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STS10DN3LH5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STS10DN3LH5 符合标准

STS10DN3LH5 概述

STS10DN3LH5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.74 MByte

STS10DN3LH5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.73 MByte

STS10DN3 数据手册

STS10DN3LH5 数据手册

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STS10DN 系列双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8

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