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器件3D模型￥ 8.928
STM8S207R6T6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
微控制器
封装:
LQFP-64
描述:
STM8S 8 位微控制器，STMicroelectronicsSTM8S 系列通用 8 位闪存微控制器是具有一个 3 级管线的 STM8 的高级芯型号。 STM8S 受益于在 24MHz 在操作高达 20MIPS 的高级芯体系架构。 嵌入式 EEPROM、RC 振荡器和完整的外围设备为设计人员提供坚固且可靠的解决方案。 ### STM8 8 位微控制器，STMicroelectronicsSTM8 平台已应用于高性能 8 位核心且是最先进的外围设备。 8 位微控制器以 16/24MHz 操作，具有高达 128kB 闪存、内部 RAM 和 EEPROM、8/16 位计时器、A/D 转换器、D/A 转换器、比较器、串行接口和可选显示控制器。
Pictures:
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焊盘图
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引脚图在P23P24P25P26P27P28P29P30P31P32P33Hot
典型应用电路图在P84P87
原理图在P12
封装尺寸在P23P92
型号编码规则在P112
封装信息在P91P92P93P94P95P96P97P98P99P100P101P102
功能描述在P13P14P15P16P17P18P19P20P21P22
技术参数、封装参数在P54P89
电气规格在P52P53P54P55P56P57P58P59P60P61P62P63
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STM8S207R6T6数据手册
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DocID14733 Rev 13 87/117
STM8S207xx STM8S208xx Electrical characteristics
116
Figure 41. ADC accuracy characteristics
1. Example of an actual transfer curve.
2. The ideal transfer curve
3. End point correlation line
E
T
= Total unadjusted error: maximum deviation between the actual and the ideal transfer curves.
E
O
= Offset error: deviation between the first actual transition and the first ideal one.
E
G
= Gain error: deviation between the last ideal transition and the last actual one.
E
D
= Differential linearity error: maximum deviation between actual steps and the ideal one.
E
L
= Integral linearity error: maximum deviation between any actual transition and the end point correlation
line.
Figure 42. Typical application with ADC
E
O
E
G
1LSB
IDEAL
1LSB
IDEAL
V
DDA
V
SSA
–
1024
-----------------------------------------=
1023
1022
1021
5
4
3
2
1
0
7
6
1234567
1021102210231024
(1)
(2)
E
T
E
D
E
L
(3)
V
DDA
V
SSA
AINx
STM8
V
DD
I
L
±1µA
V
T
0.6V
V
T
0.6V
C
ADC
V
AIN
R
AIN
10-bit A/D
conversion
C
AIN
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