Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STN1NF20 Datasheet 文档
STN1NF20
0.544
STN1NF20 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STN1NF20 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
通道数
1 Channel
针脚数
4 Position
漏源极电阻
1.1 Ω
功耗
2 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
上升时间
5.6 ns
输入电容值(Ciss)
90pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
12.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

STN1NF20 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STN1NF20 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.63 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.62 MByte

STN1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN1HNK60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN1NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 800 V, 13 ohm, 30 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN1NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 200V - 1.2欧姆 - 1A - SOT- 223功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.2 ohm - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道 600V 300mA
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 通道800V - 16欧姆 - 0.2A - SOT- 223的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 800V - 16 ohm - 0.2A - SOT-223 PowerMESH] MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 12ohm - 0.3A - SOT- 223 MOSFET PowerMesh⑩II N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Fast Switching
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z