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STN3NF06
0.134
STN3NF06 数据手册 (5 页)
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STN3NF06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.3 W
阈值电压
3 V
输入电容
315 pF
栅电荷
10.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
18 ns
输入电容值(Ciss)
315pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.3 W
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.3W (Tc)

STN3NF06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STN3NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.08 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.65 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STN3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN3NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN3N40K3  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 400 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN3NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN3N45K3  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 450 V, 3.2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN3PF06  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.08ohm- 3A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.08ohm- 3A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
AUK Semiconductor(韩国光电子)
STN3906S PNP三极管 -40V -100mA/-0.1A 250MHz 100~300 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 JA 小信号放大器
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.10欧姆 - 3A - SOT- 223 STripFETO功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A - SOT-223 STripFETO POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STN3NF10 N沟道MOSFET 30V 4A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 STN3NF 高速开关/低导通电阻
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