STP100N10F7

￥ 13.271

STP100N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP100N10F7 数据手册 (23 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页 15 页 16 页 17 页 18 页

STP100N10F7 数据手册 (23 页)

2

3 技术参数、封装参数

或点击图片查看大图

STP100N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0068 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

4.5 V

输入电容

4369 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

4369pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

查看数据手册 >

STP100N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP100N10F7 符合标准

STP100N10F7 数据手册

STP100N10F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.62 MByte

STP100N10F7 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.58 MByte

STP100N10F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

29 页 / 0.61 MByte

STP100N10 数据手册

STP100N10F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET

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