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器件3D模型
¥ 13.271
STP100N10F7 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STP100N10F7 数据手册 (23 页)
封装尺寸
在
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电气规格
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电气规格
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STP100N10F7 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0068 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
阈值电压
4.5 V
输入电容
4369 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
40 ns
输入电容值(Ciss)
4369pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150W (Tc)
查看数据手册 >
STP100N10F7 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >
STP100N10F7 符合标准
STP100N10F7 数据手册
STP100N10F7
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
23 页 / 1.62 MByte
STP100N10F7
其他数据使用手册
ST Microelectronics(意法半导体)
24 页 / 1.58 MByte
STP100N10F7
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
29 页 / 0.61 MByte
STP100N10 数据手册
STP100N10
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数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
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