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STP10NK70ZFP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP10NK70ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 700 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP10NK70ZFP 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STP10NK70ZFP 数据手册 (13 页)

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STP10NK70ZFP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.75 Ω

极性

N-Channel

功耗

35 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

700 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

2000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

35 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

35W (Tc)

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STP10NK70ZFP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP10NK70ZFP 符合标准

STP10NK70ZFP 海关信息

STP10NK70ZFP 概述

STP10NK70ZFP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.26 MByte

STP10NK70ZFP 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.44 MByte

STP10NK70 数据手册

STP10NK70ZFP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STP10NK70ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 700 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V

STP10NK70Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道700V - 0.75ヘ - 8.6A - TO220 - TO220FP齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 700V - 0.75ヘ - 8.6A - TO220-TO220FP Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

STP10NK70ZFP_07 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道700V - 0.75ヘ - 8.6A - TO220 - TO220FP齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 700V - 0.75ヘ - 8.6A - TO220-TO220FP Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

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