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STP110N8F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STP110N8F7 系列 80 V 80 A 7.5 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet - TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP110N8F7 数据手册 (14 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STP110N8F7 数据手册 (14 页)

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STP110N8F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

7.5 mΩ

极性

N-CH

功耗

170 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

95 ns

输入电容值(Ciss)

3435pF @40V(Vds)

下降时间

32 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

170W (Tc)

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STP110N8F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP110N8F7 符合标准

STP110N8F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.55 MByte

STP110N8F7 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.51 MByte

STP110N8F7 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.45 MByte

STP110N8F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0 MByte

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80V,110A,0.0065Ω,N沟道功率MOSFET

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STP110N8F7 系列 80 V 80 A 7.5 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet - TO-220-3

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