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STP12NM50FD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP12NM50FD 数据手册 (18 页)

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STP12NM50FD 数据手册 (18 页)

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STP12NM50FD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

500 V

额定电流

12.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

400 mΩ

极性

N-Channel

功耗

160 W

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1000pF @25V(Vds)

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

160W (Tc)

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STP12NM50FD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP12NM50FD 符合标准

STP12NM50FD 概述