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STP12NM50FP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP12NM50FP 数据手册 (17 页)

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STP12NM50FP 数据手册 (17 页)

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STP12NM50FP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

12.0 A

封装

TO-220-3

额定功率

35 W

漏源极电阻

0.35 Ω

极性

N-Channel

功耗

35 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

550 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

35 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

35W (Tc)

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STP12NM50FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.3 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP12NM50FP 符合标准

STP12NM50FP 概述

STP12NM50FP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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