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STP8NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP8NM60ND 数据手册 (17 页)

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STP8NM60ND 数据手册 (17 页)

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STP8NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

700 mΩ

功耗

70 W

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

560pF @50V(Vds)

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STP8NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STP8NM60ND 符合标准

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ST Microelectronics（意法半导体）

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