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STP18N60M2
0.741
STP18N60M2 数据手册 (18 页)
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STP18N60M2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.28 Ω
功耗
110 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
791pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
10.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

STP18N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP18N60M2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.5 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 1.15 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
21 页 / 1.17 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

STP18N60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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