Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STP200NF04 Datasheet 文档
STP200NF04
1.764
STP200NF04 数据手册 (15 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STP200NF04 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
120 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0033 Ω
极性
N-Channel
功耗
310 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
120 A
上升时间
320 ns
输入电容值(Ciss)
5100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
310 W
下降时间
120 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310W (Tc)

STP200NF04 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP200NF04 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.39 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.33 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.16 MByte

STP200 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N-沟道 30 V 2.4 mOhm 法兰安装 N-沟道 功率 MOSFET - TO-220-3
ST Microelectronics(意法半导体)
40V,120A,N沟道MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道40V - 3兆欧姆 - 120 ​​A TO - 220 / D2PAK / I2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET
SUN Microsystems
Signal Transformers
SUN Microsystems
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z