STS1TXQTR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N沟道600V - 13W - 0.25A - SO- 8齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

STS10DN 系列 双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8

450V,0.4A,双路N沟道MOSFET

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N沟道30V - 0.0045欧姆 - 17A型SO-8 STripFET⑩ II MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.0045 ohm - 17A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET FOR DC-DC CONVERSION

STS1TX Sub-1GHz 射频发射器STS1TX 是一种旨在用于 sub-1GHz 频段射频无线应用的超低功率射频发射器。 它设计用于以 169、315、433、868 和 915MHz 在免许可 ISM 和 SRD 频段下操作，但还可经编程以在 300-348MHz、387-470MHz 和 779-956MHz 频段的其他频率下操作。 STS1TX 与无线 M-Bus 协议完全兼容。射频频段：150-174MHz、300-348MHz、387-470MHz、779-956MHz 射频输出功率：高达 +16dBm 调制：FSK、GFSK、MSK、GMSK 或 OOK OTA 数据传输率：高达 500kbps 可编程通道间距（最低 12.5kHz） 数据包处理器具有数据白化、CRC 生成和 FEC 功能，带交叉存取 灵活的数据包长度，具有动态有效载荷长度 AES-128 加密协处理器 96 字节 Tx FIFO 缓冲器 主机通信：串行 SPI 唤醒内部计时器和唤醒外部事件 温度传感器 低电量探测器 电源：+1.8V 至 +3.6V 直流 工作温度范围：-40°C 至 +85°C 应用：机械仪表抄数、家庭和楼宇自动化、无线传感器网络、工业监控和控制、无线消防和安全警报系统、物联网 (IoT) 通信 ### 注与 SPIRIT1 收发器 (RS 771-7027) 兼容。### 认可EN 300 220、FCC CFR47 15（15.205，15.209，15.231，15.247，15.249）、ARIB STD T-67、T93、T-108### 单芯片组件，STMicroelectronics

N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET™ V Power MOSFET