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STP20NK50Z
2.382
STP20NK50Z 数据手册 (7 页)
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STP20NK50Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
17.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
270 mΩ
极性
N-Channel
功耗
190 W
阈值电压
3.75 V
输入电容
2600 pF
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
17.0 A
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
190 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190W (Tc)

STP20NK50Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-50℃ ~ 150℃ (TJ)

STP20NK50Z 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.24 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.56 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.01 MByte

STP20NK50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V -0.23ヘ - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 500V -0.23ヘ- 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
muRata(村田)
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